VBM115MR03 Product details
Product introduction:
VBM115MR03 是一款高耐压单N沟道功率MOSFET,封装形式为TO-220。该MOSFET采用平面(Plannar)技术,旨在提供高电压耐受能力和稳健的开关性能。其1500V的漏源极耐压使其适合用于高电压应用。尽管其导通电阻较高,但在需要高电压保护和稳定性能的场合,它依然是一个可靠的选择。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO220 | Single-N | 1500V | 30V(±V) | 4.5V | 3A | 6000(mΩ) | Plannar |
1. **封装类型**:TO-220
2. **配置**:单N沟道
3. **漏源极电压 (VDS)**:1500V
4. **栅源极电压 (VGS)**:±30V
5. **阈值电压 (Vth)**:4.5V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6000mΩ @ VGS=10V
7. **漏极电流 (ID)**:3A
8. **技术类型**:Plannar
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Domain and module applications:
**应用领域**:
1. **高电压保护**:由于VBM115MR03具有高达1500V的漏源极耐压,它非常适合用于高电压保护应用。在高电压电源和设备中,它可以作为保护元件,防止过电压对电路的损害。
2. **开关电源**:尽管该MOSFET的导通电阻较高,但其高耐压特性使其适用于一些特殊的开关电源应用,尤其是那些要求高电压耐受但对导通电阻要求不高的场合。
3. **工业设备**:在工业设备中,VBM115MR03 可用于高电压开关和控制应用。它的高耐压能力可以在高电压环境下提供可靠的开关性能,适用于电力控制和保护系统。
**模块举例**:
1. **高电压保护模块**:VBM115MR03 可以集成在高电压保护模块中,用于保护高电压电源系统免受过电压冲击。适用于高压电源、变电站设备和工业电源保护。
2. **高电压开关模块**:在一些特定的开关电源模块中,该MOSFET 可以作为开关元件使用,适用于需要处理高电压但对电流要求较低的应用场合。
3. **高电压工业控制模块**:该MOSFET 也适用于高电压工业控制系统中的开关和保护功能,提供稳定的开关性能和可靠的高电压耐受性。
综上所述,VBM115MR03 由于其高耐压和稳健的性能,适用于高电压保护、特定开关电源和工业设备等领域,为这些应用提供了可靠的解决方案。
Technical support:
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