MOSFET

VBGPB1252N Product details

Product introduction:

VBGPB1252N 产品简介

**VBGPB1252N** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,封装形式为 TO3P,采用 SG Technology(SGT)制造。该 MOSFET 设计用于高电压和高电流应用,具有出色的导通电阻和高电流承载能力,适合用于要求高效能和高可靠性的电源管理和开关应用。
∷

File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO3P Single-N 250V 20V(±V) 3.5V 100A 16(mΩ) SGT
详细参数说明

- **封装(Package):** TO3P
- **配置(Configuration):** 单N沟道
- **最大漏源电压(VDS):** 250V
- **最大栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(on)):** 16mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID):** 100A
- **技术(Technology):** SG Technology (SGT)
∷

Domain and module applications:

适用领域与模块举例

**VBGPB1252N** 的特性使其适用于以下领域和模块:

1. **高电压电源管理:**
由于其高耐压能力(250V)和低导通电阻,该 MOSFET 非常适合用于高电压电源管理模块,如高压 DC-DC 转换器和电源供应器。在这些应用中,VBGPB1252N 能够高效处理高电压输入并提供稳定的输出电压,从而提高系统的整体效率和稳定性。

2. **工业电源系统:**
在工业电源系统中,例如电机驱动、负载控制和高功率电源供应,VBGPB1252N 能够处理高电流负载。其高电流能力(100A)和低功耗特性确保了电源系统的高效能和可靠性,适合各种工业应用。

3. **高功率开关电源:**
在高功率开关电源应用中,如逆变器和高功率开关装置,VBGPB1252N 提供了稳定的开关性能。其高耐压能力和低导通电阻使其在高功率和高频率的开关应用中表现出色,能够有效处理高负载条件。

4. **电动汽车:**
在电动汽车的电源系统中,例如电池管理系统(BMS)和高电流电源转换模块,VBGPB1252N 可用于控制电池的充电和放电过程。其高电流承载能力和高耐压特性确保了电池管理的高效和安全,提升电池的性能和使用寿命。

5. **能源系统:**
在能源系统,如太阳能逆变器和风力发电系统中,VBGPB1252N 的高耐压和高电流能力使其适合用于高效的能量转换和管理。其高效能和可靠性对于优化能源系统的性能和稳定性至关重要。

综上所述,VBGPB1252N 是一款高耐压、高电流、高效率的 MOSFET,适用于各种高功率电源管理和开关应用,广泛应用于高电压电源管理、工业电源系统、高功率开关电源、电动汽车及能源系统等领域。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat