MOSFET

VBGM1252N Product details

Product introduction:

一、VBGM1252N 产品简介

VBGM1252N 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,封装形式为 TO-220。该 MOSFET 具备 250V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格,采用先进的技术和设计,旨在提供出色的高电压和高电流处理能力。在 10V 栅源电压下,其导通电阻为 16mΩ。VBGM1252N 支持高达 80A 的连续漏极电流 (ID),其设计特别适合于高电压和高电流应用场景,提供高效的开关性能和可靠的工作特性。
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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-N 250V 20V(±V) 3.5V 80A 16(mΩ) SGT
二、VBGM1252N 详细参数说明

| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | VBGM1252N | |
| 封装 | TO-220 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 250 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 16 (VGS = 10V) | mΩ |
| 连续漏极电流 (ID) | 80 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 320 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 150 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | SGT | |
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Domain and module applications:

三、应用领域和模块示例

VBGM1252N 的高电压和高电流处理能力使其在多个领域和应用中表现出色,以下是几个具体的应用示例:

1. **电源管理**:在高电压开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中,VBGM1252N 可以作为高效的开关元件。它能够处理高电压和高电流,减少能量损耗并提高电源转换效率,特别适用于高性能电源供应和高电压应用场景。

2. **功率转换系统**:该 MOSFET 适用于高电压功率转换器和逆变器,包括太阳能逆变器和不间断电源 (UPS)。其高电压承受能力和低导通电阻确保了系统的稳定性和高效能。

3. **电动机驱动**:在高电压和高电流电动机驱动系统中,VBGM1252N 能够处理电动机启动和运行时的电流需求。它适用于高功率电动工具、电动汽车及工业电动机,提供高效的电机控制和可靠的性能。

4. **高压开关应用**:在需要高电压开关的应用中,如高压电源的切换和保护,VBGM1252N 可以作为开关元件进行有效的电压和电流管理。它能够提供可靠的高电压开关性能,保证系统的安全性和稳定性。

这些应用示例展示了 VBGM1252N 在高电压和高电流应用中的关键作用,特别是在需要高效开关性能和高电压处理能力的场景中。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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