VBGP1201N Product details
Product introduction:
VBGP1201N是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO247封装,设计用于高电压和高电流应用。该MOSFET具有200V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),阈值电压为4V。它采用先进的SGT(Super Gate Trench)技术,提供低导通电阻,在VGS为10V时的导通电阻为8.5mΩ,最大漏极电流(ID)为120A。VBGP1201N特别适合用于高功率和高效电源管理应用,在高负载条件下能够保持卓越的性能和稳定性。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 200V | 20V(±V) | 4V | 120A | 8.5(mΩ) | SGT |
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封装类型 | TO247 | |
| 配置 | 单N沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 200 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 4 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 8.5 (VGS=10V) | mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 120 | A |
| 技术 | SGT(Super Gate Trench)| |
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Domain and module applications:
1. **高电压电源开关(High-Voltage Power Switching)**:
VBGP1201N在高电压电源开关应用中表现优异,特别适合处理高电压环境下的开关任务。其200V的漏源电压和低导通电阻(8.5mΩ)确保了电源系统的高效性能,减少了功率损耗,并提高了系统的稳定性。
2. **工业电源(Industrial Power Supplies)**:
该MOSFET适用于各种工业电源应用,特别是在需要处理高电压和高电流的场合。其高电压和高电流处理能力使其能够满足高功率需求,确保系统的高效和稳定运行。
3. **电机驱动(Motor Drives)**:
在电机驱动应用中,VBGP1201N能够处理高电流负载,适用于直流电机和无刷电机(BLDC)的驱动。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机的高效控制和稳定运行,适合用于要求较高的电机驱动系统。
4. **DC-DC转换器(DC-DC Converters)**:
VBGP1201N在DC-DC转换器中表现优异,适合用于高电压和高效转换的应用。其低导通电阻有助于提高转换器的效率,减少功率损耗,增强系统的整体性能和稳定性。
5. **电池管理系统(Battery Management Systems)**:
在电池管理系统中,该MOSFET能够有效控制高电压负载,适用于电池保护和负载开关应用。其高电压和高电流处理能力有助于提高电池系统的可靠性和稳定性。
VBGP1201N凭借其高电压和高电流处理能力以及低导通电阻,适用于各种需要高效和稳定性能的高功率应用,为电源管理、电机驱动和高效开关应用提供了可靠的解决方案。
Technical support:
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