VBGQA1401S Product details
Product introduction:
**VBGQA1401S** 是一款高性能单极 N 通道 MOSFET,采用 SGT(Super Junction Technology)技术,封装形式为 DFN8 (5x6)。该 MOSFET 设计用于中低电压应用,提供极低的导通电阻和高电流承载能力,使其在高效能和高功率的电子系统中表现出色。其优化的设计确保了高开关速度和低功耗,非常适合需要高效率和高可靠性的应用。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DFN8(5X6) | Single-N | 40V | 20V(±V) | 3V | 200A | 1.5(mΩ) | 1.1(mΩ) | SGT |
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 40V
- **最大栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 1.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.1mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流 (ID)**: 200A
- **技术**: SGT(Super Junction Technology)
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Domain and module applications:
**VBGQA1401S** 主要适用于以下领域和模块:
1. **高效电源管理**:由于其极低的导通电阻(1.1mΩ @ VGS = 10V)和高电流能力(200A),VBGQA1401S 非常适合高效电源管理系统,如服务器电源模块和数据中心电源供应器。这使其能够显著降低功耗并提高系统效率,尤其在高功率电源应用中表现优异。
2. **电动汽车**:在电动汽车应用中,该 MOSFET 可用于电池管理系统(BMS)和电动驱动系统。其高电流处理能力和低导通电阻能够提升电池和驱动系统的效率和安全性,特别是在高负载和高功率条件下,确保系统的稳定运行。
3. **工业电源和控制**:在工业电源和控制系统中,该 MOSFET 适用于高功率开关应用,如电机驱动器和工业电源模块。其高电流容量和极低导通电阻确保在高负载条件下的稳定和高效运行,满足各种工业需求。
4. **消费电子**:在消费电子产品如笔记本电脑和高端电视的电源管理模块中,这款 MOSFET 可用于优化电源供应,提高产品的稳定性和能效。其高开关速度和低功耗特性使其在高性能消费电子产品中广泛应用。
总结来说,VBGQA1401S MOSFET 的 DFN8 (5x6) 封装、极低导通电阻和高电流承载能力使其在电源管理、电动汽车、工业电源和控制以及高性能消费电子应用中表现优异。其 SGT 技术确保在各种高功率和高效率应用中提供可靠的性能。
Technical support:
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