MOSFET

VBM2157N Product details

Product introduction:

VBM2157N 产品简介

**VBM2157N** 是一款单P沟道功率MOSFET,封装形式为 TO220,采用 Trench 技术制造。该 MOSFET 具有高耐压能力和低导通电阻,设计用于高效能电源管理和高电流开关应用。其特性使其在高负载条件下能够提供稳定、可靠的性能,适用于多种需要高效率和高可靠性的应用场景。
∷

File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TO220 Single-P -150V 20V(±V) -2V -40A 80(mΩ) 65(mΩ) Trench
详细参数说明

- **封装(Package):** TO220
- **配置(Configuration):** 单P沟道
- **最大漏源电压(VDS):** -150V
- **最大栅源电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -2V
- **导通电阻(RDS(on)):**
- 80mΩ @ VGS = 4.5V
- 65mΩ @ VGS = 10V
- **最大连续漏极电流(ID):** -40A
- **技术(Technology):** Trench
∷

Domain and module applications:

适用领域与模块举例

**VBM2157N** 的特性使其适用于以下领域和模块:

1. **电源管理:**
该 MOSFET 由于其高耐压能力和低导通电阻,非常适合用于高效电源转换模块,如 DC-DC 转换器和电源供应器。在这些应用中,VBM2157N 能够高效地处理高电压输入并提供稳定的输出电压,从而提高系统的整体效率。

2. **电动汽车:**
在电动汽车的电源系统中,例如电池管理系统(BMS),该 MOSFET 可用于控制电池的充电和放电过程。其高电流处理能力和低功耗特性保证了电池管理的高效和安全,提升电池的性能和使用寿命。

3. **高功率开关电源:**
VBM2157N 在高功率开关电源应用中,如逆变器和功率放大器中表现出色。其高电流能力和低导通电阻确保了高效的开关性能,适合高负载和高频率的开关应用。

4. **工业自动化:**
在工业自动化系统中,如电机驱动和负载控制,该 MOSFET 提供了稳定的电流开关能力。其低导通电阻和高电流承载能力使其适用于高负载和高效能的工业应用。

5. **消费电子:**
在消费电子产品如笔记本电脑、电视机等电源管理模块中,VBM2157N 能够优化电源供应,提高产品的稳定性和能效。其优秀的开关性能和低能耗特性对提升整体设备的性能和使用寿命至关重要。

综上所述,VBM2157N 是一款高耐压、高电流、高效率的 MOSFET,适用于各种高功率电源管理和开关应用,广泛应用于电源管理、电动汽车、高功率开关电源、工业自动化及消费电子等领域。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat