MTE100N10KRN3-VB一款SOT23封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

MTE100N10KRN3-VB 絲印：VB1101M 品牌：VBsemi 參數：SOT23；N—Channel溝道，100V；4.3A；RDS(ON)=120mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V 封裝：SOT23

詳細參數說明：
- 型號：MTE100N10KRN3-VB
- 絲印：VB1101M
- 品牌：VBsemi
- 參數：
- 封裝類型：SOT23
- 溝道類型：N—Channel
- 額定電壓：100V
- 額定電流：4.3A
- 開啟電阻：120mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓：1.2~2.8V

應用簡介：
MTE100N10KRN3-VB 是一款適用於SOT23封裝的N-Channel溝道場效應電晶體。其特性包括負載電壓高、電流大，適用於多種電路和模組應用。由於其高額定電壓和低閾值電壓，該器件常用於需要高性能、高可靠性的電子設備中，如電源逆變器、開關電源、電機驅動等。

舉例說明：
MTE100N10KRN3-VB 可廣泛應用於電源逆變器、工業電機驅動、電源管理模組等領域。在功率電子模組中，它可以用於設計高性能、高效率的電源系統，以及其他需要穩定、可靠的電流開關控制的應用。