SSM3J02F-VB一款SOT23-3封裝的P—MOS管Datasheet參數視頻講解

SSM3J02F-VB
型號：SSM3J02F-VB

絲印：VB2355

品牌：VBsemi

參數：

封裝類型：SOT23-3
溝道類型：P—Channel
額定電壓：-30V
額定電流：-5.6A
RDS(ON)：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓：Vth=-1V
應用簡介：

SSM3J02F-VB是一款SOT23-3封裝的P—Channel溝道場效應電晶體，具有低導通電阻和適用於負載開關等應用的特性。

詳細參數說明：

封裝類型： SOT23-3
溝道類型： P—Channel
額定電壓： -30V
額定電流： -5.6A
導通電阻： RDS(ON)=47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
閾值電壓： Vth=-1V
領域和模組應用：

SSM3J02F-VB適用於需要P—Channel溝道場效應電晶體的各種電子設備和模組，特別是在低電壓和低功耗要求的領域。以下是一些可能的應用場景：

負載開關： 由於其低導通電阻和P—Channel設計，適用於負載開關電路，可用於控制電路中的負載。

電源管理： 在電源管理模組中，特別是需要P—Channel MOSFET的場合，例如低電壓斷路器和電源開關。