Product introduction:
VBW2625是VBsemi推出的一款高性能單P型場效應電晶體(MOSFET)。該器件具有可靠的漏源電壓和柵源電壓,以及低閾值電壓,適用於各種應用。多種功率電路設計可滿足不同應用的需求。採用Trench工藝製成,具有良好的導通特性和穩定性。TO3P封裝適用於大功率應用,具有出色的散熱性能和可靠的安裝。
File download
Product parameter:
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp(V) |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| TO3P |
Single-P |
-60V |
20(±V) |
-1.7V |
-53A |
|
20 (mΩ) |
16 (mΩ) |
Trench |
**產品型號:**VBW2625 **品牌:**VBsemi **參數:** - 電源類型:單P - 最大漏源電壓(VDS):-60V - 最大柵源電壓(VGS):㊣20V - 閾值電壓(Vth):-1.7V - VGS=4.5V時漏源電阻(m次):20 - VGS=10V時漏源電阻(m次):16 - 最大漏極電流(ID):-53A - 技術:Trench **封裝:**TO3P
Domain and module applications:
**例如:** 1、汽車電機控制模組:VBW2625可用於汽車電機控制模組中電機驅動及轉速調節,保證汽車電機高效運行,提升駕駛體驗。 2、工業焊接設備模組:在工業焊接設備模組中,VBW2625適用於焊接電源開關及電流調節,提供穩定可靠的焊接電源,提高焊接品質及效率。 3、太陽能逆變模組:由於VBW2625具有高漏極電流及低漏源電阻,可用於太陽能逆變模組中功率逆變及電流控制,提升太陽能發電系統的效率及可靠性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support:
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours