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VBW1254N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBW1254N是VBsemi公司推出的一款單N溝道MOSFET，其特點如下： - 額定漏源電壓（VDS）為250V，適合中高壓應用； - 柵源電壓（VGS）為±20V，工作範圍較大； - 閾值電壓（Vth）為3.5V，具有優異的開通特性； - 柵極電壓為10V時，導通電阻（RDS(on)）為40mΩ，導通電阻低，可以降低功耗，提高效率； - 最大漏極電流（ID）為60A，具有較大的工作電流能力； - 採用Trench工藝，性能穩定可靠； - 封裝形式為TO3P，具有良好的散熱性能和機械強度。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO3P | Single-N | 250V | 20（±V） | 3.5V | 60A | 40 (mΩ) | Trench |
參數： -單N型 - VDS(V): 250 - VGS(㊣V): 20 - Vth(V)ㄩ3.5 - VGS=10V時導通電阻(m次)： 40 - ID (A): 60 - 技術：溝槽MOSFET (Trench) 封裝：TO3P
Domain and module applications：
應用介紹：VBW1254N適用於多種領域和模組，包括但不限於：1、電力電子模組：由於其更高的額定電壓和更大的電流容量，VBW1254N可應用於高壓電力電子模組，例如電源轉換器、電動汽車充電樁和工業工頻調節器，實現高效、穩定的電能轉換與控制。2、高頻開關模組：在高頻電子設備中，VBW1254N可作為高頻開關模組的關鍵元件，例如通信設備、雷達系統和高頻功率放大器，提供穩定、高效的開關控制功能。3、驅動模組：VBW1254N的低導通電阻和大電流容量使其非常適合用作驅動模組，例如電機驅動器、照明驅動器和電動汽車控制器，以提高系統效率和性能。 4、太陽能逆變模組：在太陽能發電系統中，VBW1254N可作為逆變模組的關鍵部件，實現太陽能的高效轉換和穩定輸出。5、汽車電子模組：由於VBW1254N具有高電壓、大電流的特性，可以應用於汽車電子模組，如電動汽車驅動系統、電池管理系統和車載充電器等，提高汽車的動力性能和安全性。以上是VBW1254N產品在各個領域和模組的應用實例，說明了其在不同應用場景中的優勢和適用性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
