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VBW1152N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBW1152N 型號具有更高的額定漏源電壓和漏極電流能力，以及低漏極電阻，使其適用於高性能電源系統中的開關電源、DC-DC 轉換器和其他模組。具有高額定漏源電壓和漏極電流能力，以及 Trench 技術。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO3P | Single-N | 150V | 20（±V） | 3V | 90A | 17 (mΩ) | Trench |
產品型號：VBW1152N 品牌：VBsemi 參數： - 類型：單N - 額定漏源電壓（VDS）：150V - 額定柵源電壓（VGS）：㊣20V - 閾值電壓（Vth）：3V - 柵源電壓10V時漏極電阻（m次）：17 - 最大漏極電流（ID）：90A - 技術：溝槽封裝：TO3P
Domain and module applications：
本產品適用於以下領域及模組：1、**高性能電源系統**：VBW1152N具有較高的額定漏源電壓和漏源電流能力，以及較低的漏極電阻，適合用於高性能電源系統中的開關電源、DC-DC轉換器等模組，能夠提供高效的能量轉換和穩定的功率輸出，滿足高性能電源的需求。2、**工業電機驅動**：在工業領域，VBW1152N可應用於電機驅動模組，如電機控制器、變頻器等，其較高的漏極電流和額定漏源電壓，以及先進的Trench工藝，可實現高效的電機驅動和精確的速度控制，提高工業生產效率。 3. **電動汽車功率模組**：VBW1152N 具有較高的額定漏源電壓和漏極電流能力，以及較低的漏極電阻，適合用於電動汽車中的功率模組，如電機控制器、電池管理系統等。它可提供穩定的功率輸出，實現電動汽車的高效驅動和長續航里程。4. **太陽能逆變器**：該 MOSFET 適用於太陽能逆變器中的功率開關模組，具有出色的功率特性和高效的能量轉換能力。其較高的額定漏源電壓和漏極電流能力以及 Trench 技術可實現太陽能電能的高效轉換和穩定輸出，提高太陽能發電系統的整體效率。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
