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VBTA8338 Product details
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VBTA8338 是 VBsemi 品牌的功率 MOSFET，適用於多種領域，該系列 MOSFET 採用溝槽技術，採用 DFN8（5X6）封裝。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Single-P | -30V | 20（±V） | -1.7V | -2.4A | 42(mΩ) | 32 (mΩ) | Trench |
品牌：VBsemi 參數： - 單位功率(單P) - 柵源電壓(VDS)：-30V - 柵源電壓(VGS)：20V - 閾值電壓(Vth)：-1.7V - VGS=4.5V時漏極電阻(m次)：42 - VGS=10V時漏極電阻(m次)：32 - 漏極電流(ID)：-2.4A - 技術：Trench 封裝：SC75-6
Domain and module applications：
VBsemi的產品適用於多種領域，具有以下特點：1.電源管理模組：VBsemi的器件在電源管理模組中表現出色。例如，用於電池管理系統、充電器和逆變器等模組。這些模組需要能夠管理和調節電源的設備，而VBsemi的產品具有出色的電壓耐受性和低漏極電阻，可提供穩定可靠的電源管理功能，適用於各種電源管理應用場景。2.信號放大模組：VBsemi的產品也適用於各種信號放大模組。例如，用於音頻放大器、感測器介面和通信介面等模組。這些模組需要能夠放大信號並提供穩定的輸出，而VBsemi的低漏極電阻和高電壓耐受性使其非常適合這些應用，提供高質量的信號放大和傳輸能力。3.控制電路模組：VBsemi的產品也適用於各種控制電路模組。例如，用於電動汽車控制、工業自動化和家電控制等模組。這些模組需要能夠控制電流和電壓，VBsemi的器件性能穩定可靠，可提供高效的控制和調節功能，適用於各種控制電路應用場景。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
