中文
English
VBTA5220N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
產品介紹：VBsemi 的 VBTA5220N 是一款雙 N 型和 P 型場效應電晶體，其漏源電壓 (VDS) 為 ±20V，柵源電壓 (VGS) 為 12V，閾值電壓 (Vth) 為 1.0/-1.2V，漏極電流 (ID) 為 0.6/-0.3A。採用 Trench 技術製造，封裝為 SC75-6。
File download
Download PDF document
Download now
Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+P | ±20V | 12（±V） | 1.0/-1.2V | 0.6/-0.3A | 410/840(mΩ) | 270/660(mΩ) | Trench |
詳細參數說明： - 品牌：VBsemi - 產品型號：VBTA5220N - 類型：雙N型和P型場效應電晶體 - VDS（漏源電壓）：㊣20V - VGS（柵源電壓）：12V - Vth（閾值電壓）：1.0/-1.2V - RDS(on) VGS=2.5V時導通電阻：410/840 mΩ - RDS(on) VGS=4.5V時導通電阻：270/660 mΩ - 最大漏極電流（ID）：0.6/-0.3A - 技術：Trench - 封裝：SC75-6
Domain and module applications：
應用實例：1、電源管理模組：適用於可攜式電子設備中的電池管理、電源切換等。2、DC-DC轉換器：用於電源轉換器中高效功率調節。3、光伏逆變器：適用於太陽能光伏發電系統中的逆變電路。4、汽車電子系統：用於汽車電子系統中的電源管理及控制單元。5、無線通信設備：適用於無線路由器、基站中的功率放大及調整模組。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
