MOSFET

VBTA4250N Product details

Product introduction:

VBTA4250N是VBsemi生產的雙通道功率溝槽MOSFET,適用於各種電路設計,適合電池保護、低功耗開關電源、信號放大器等領域的模組設計,在提高效率、降低功耗、保證穩定性等方面具有顯著優勢。其參數特性使得它在低功耗、中壓應用環境中有良好的表現。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SC75-6 Dual-P+P -20V 12(±V) -0.6V -0.5A 500(mΩ) 450(mΩ) Trench
**產品型號:**VBTA4250N **品牌:**VBsemi **參數:** - **雙P+P:**雙通道功率類型 - **VDS(V):**柵源電壓範圍:-20V - **VGS(㊣V):**柵源電壓範圍:㊣12V - **Vth(V):**閾值電壓:-0.6V - **RDS(on) VGS=2.5V(m次):**靜態導通電阻(柵源電壓為2.5V時):500m次 - **RDS(on) VGS=4.5V(m次):**靜態導通電阻(柵源電壓為4.5V時):450m次 - **ID (A):**柵源電流範圍:-0.5A - **技術:**通道類型 - **封裝:**SC75-6

Domain and module applications:

**應用實例:** **1.電池保護模組:**VBTA4250N的低功耗和雙通道設計使其成為電池保護模組中的理想選擇。例如,它可用於電池管理系統中的電池保護電路,監控電池電壓和電流,保護電池免受過充、過放、短路等損壞。 **2.低功耗開關電源:**由於VBTA4250N具有低靜態導通電阻和低功耗特性,因此適合用於低功耗開關電源中的開關電路。例如,它可用於可攜式電子設備中的DC-DC轉換器,實現高效的能量轉換,節省能源。 **3.信號放大器模組:**在信號放大器模組中,VBTA4250N可作為信號放大器的關鍵元件,其低靜態導通電阻和雙通道設計可實現信號的快速放大和精確控制,確保信號放大器的穩定性和性能。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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