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VBTA32S3M Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBTA32S3M 是雙 N+N 通道場效應電晶體，適用於低功耗應用場景。具有低閾值電壓、低開啟電阻和低漏極電流的特點，適用於需要節能、低功耗的電路設計。採用 Trench 工藝製成，具有優異的溫度特性和高可靠性。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-6 | Dual-N+N | 20V | 20（±V） | 0.5~1.5V | 1A | 360/360(mΩ) | 300/300(mΩ) | Trench |
參數： - 類型：雙N+N - 額定漏源電壓（VDS）：20V - 額定柵源電壓（VGS）：㊣20V - 閾值電壓（Vth）：0.5~1.5V - 導通電阻（RDS(on)）： - 當VGS=2.5V時：360m次/360m次 - 當VGS=4.5V時：300m次/300m次 - 額定漏極電流（ID）：1A - 技術：Trench - 封裝：SC75-6
Domain and module applications：
應用示例： 1、低功耗電子模組：由於VBTA32S3M具有低閾值電壓、低導通電阻等特點，適用於低功耗電子模組中的電源管理和信號調理。例如，可用於電池管理電路、可攜式智能設備中的電源控制模組等。 2、感測器介面模組：在感測器介面模組中，VBTA32S3M可用於感測器的電源控制和信號放大。例如，可用於工業自動化領域的感測器介面電路，實現對感測器信號的放大和精確控制。 3、小型電機驅動模組：由於VBTA32S3M具有低漏極電流和低功耗的特點，適用於小型電機驅動模組中的電流控制和電壓調節。例如，可用於智能玩具中的小型電機驅動電路，實現對電機轉速和轉向的精確控制。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
