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VBTA2610N Product details
Back to previous pageProduct introduction：
VBTA2610N是VBsemi推出的一款高性能單P型場效應電晶體（MOSFET）。該器件具有可靠的漏源和柵源電壓，以及低閾值電壓，適用於各種電源電路設計。採用Trench工藝製成，具有良好的導通特性和穩定性。SC75-3封裝適用於小型電源電路，具有佔用空間小、安裝方便的特點。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-3 | Single-P | -60V | 20（±V） | -1.7V | -2A | 120(mΩ) | 100 (mΩ) | Trench |
**產品型號：**VBTA2610N **品牌：**VBsemi **參數：** - 電源類型：單P - 最大漏源電壓（VDS）：-60V - 最大柵源電壓（VGS）：㊣20V - 閾值電壓（Vth）：-1.7V - VGS=4.5V時漏源電阻（m次）：120 - VGS=10V時漏源電阻（m次）：100 - 最大漏極電流（ID）：-2A - 技術：Trench **封裝：**SC75-3
Domain and module applications：
**例如：** 1、手持設備充電模組：VBTA2610N 可用於手持設備充電模組中做電源管理和充電控制，保證充電過程的安全穩定性，提高充電效率。 2、可攜式醫療設備模組：在可攜式醫療設備模組中，VBTA2610N 適用於電源管理和電流控制，保證醫療設備可靠工作，延長電池壽命。 3、智能家居控制模組：由於 VBTA2610N 具有更低的漏源電阻和更低的閾值電壓，因此可用於智能家居控制模組中做功率放大和信號調理，提高家居控制系統的回應速度和穩定性。。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
