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VBTA1290 Product details
Back to previous pageProduct introduction：
本產品為單N溝道MOSFET，最大漏源電壓20V，最大柵源電壓±12V，閾值電壓0.5~1.5V，漏極電流可達2A，採用Trench工藝製造，封裝為SC75-3，適用於多種領域及模組，尤其適合低功耗、高性能要求的應用，如低功耗電子產品、環保節能產品、控制模組等。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SC75-3 | Single-N | 20V | 12（±V） | 0.5~1.5V | 2A | 141(mΩ) | 107(mΩ) | 91 (mΩ) | Trench |
產品型號：VBTA1290 品牌：VBsemi 參數： - 單N溝道MOSFET - 最大漏源電壓（VDS）：20V - 最大柵源電壓（VGS）：㊣12V - 閾值電壓（Vth）：0.5~1.5V - VGS=2.5V時導通電阻（RDS(on)）：141mΩ - VGS=4.5V時導通電阻（RDS(on)）：107mΩ - VGS=10V時導通電阻（RDS(on)）：91mΩ - 最大漏極電流（ID）：2A - 技術：Trench 封裝：SC75-3
Domain and module applications：
此款MOSFET適用於很多領域和模組，這裏舉幾個例子： 1.低功耗電子模組：由於其漏極電流小，導通電阻適中，可用於可攜式電子設備、智能手機、平板電腦等低功耗電子產品，達到節能、延長電池壽命的目的。 2.環保節能模組：適用於節能燈、照明系統、太陽能光伏逆變器等環保節能產品，實現高效的電能轉換和能源利用，降低能耗和碳排放。 3.控制模組：適用於各種控制模組，如開關控制器、電源管理模組和電機驅動器等，實現精確的控制和穩定的工作性能。 4.信號放大模組：在信號放大和處理電路中，MOSFET可用於信號放大器、濾波器、感測器介面電路，提供高質量的信號放大和傳輸。 5.電源逆變模組：適用於逆變電源、DC-AC逆變器等電源逆變模組，實現電能的高效轉換和穩定輸出。廣泛應用於家用電器、工業設備、汽車電子等領域。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
