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VBGQT1101 Product details
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产品型号：VBGQT1101
品牌：VBsemi
参数：
- 单体N型场效应晶体管（Single N）
- 额定漏极-源极电压（VDS）：100V
- 额定栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：3V
- 在VGS=10V时，漏源电阻：1.2mΩ
- 漏极电流（ID）：350A
- 技术：SGT（Silicon-Germanium Technology）
封装：TOLL
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds2.5 | Rds4.5 | Rds10 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TOLL | Single-N | 100V | ±20V | 3V | 350A | 1.2(mΩ) | SGT |
VBGQT1101是一款单体N型场效应晶体管，具有以下特点：
- 高电压承受能力：额定漏极-源极电压（VDS）为100V，适合在高压环境下工作。
- 宽工作电压范围：额定栅极-源极电压（VGS）为±20V，可适应多种电源电压。
- 低阈值电压：阈值电压（Vth）为3V，具有快速响应特性。
- 低漏源电阻：在VGS=10V时，漏源电阻仅为1.2mΩ，有助于减少功率损耗。
- 高漏极电流：漏极电流（ID）高达350A，适合高功率应用场景。
Domain and module applications：
应用举例：
1. 电源模块：VBGQT1101适用于电源模块中的功率开关，能够提供高效稳定的电源转换和调节功能，广泛应用于电力电子领域的直流-直流（DC-DC）转换器和交流-直流（AC-DC）变换器中。
2. 电动车控制器：由于VBGQT1101具有高漏极电流和低漏源电阻，因此非常适合用作电动车控制器中的功率开关元件，能够实现电动车的高效能量转换和驱动控制。
3. 工业自动化：在工业自动化领域，VBGQT1101可用于电机驱动、变频器、UPS（不间断电源系统）等高功率应用中，提供可靠的功率开关功能，确保设备的稳定运行和高效能量利用。
Technical support：
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