MOSFET

VBGQT1401 Product details

Product introduction:

VBGQT1401是一款单N沟道场效应晶体管,适用于高性能功率电子应用。其特点包括低漏极-源极电阻、高漏极电流和宽的门-源电压范围,可在各种应用中发挥优异的性能。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
TOLL Single-N 40V ±20V 3V 330A 1(mΩ) SGT

产品型号:VBGQT1401
品牌:VBsemi
参数:
- 类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):40V
- 门-源电压范围(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):1mΩ
- 最大漏极电流(ID):330A
- 技术:SGT
封装:TOLL

Domain and module applications:


举例说明:

1. 电源领域:VBGQT1401可用作高效率开关电源的功率开关器件,例如DC-DC转换器、逆变器和充电器等。其低漏极-源极电阻和高漏极电流使其能够在高功率密度和高效率的电源系统中发挥重要作用。

2. 电机驱动模块:在电机控制领域,VBGQT1401可用于驱动各种类型的电机,如直流电机、步进电机和无刷直流电机。其高漏极电流和可靠的性能使其成为电机控制模块中的理想选择。

3. 汽车电子系统:由于其高性能和可靠性,VBGQT1401可用于汽车电子系统中的各种应用,包括发动机控制单元、电动汽车的电力传动系统和车载充电桩等。其稳定的性能可以确保汽车电子系统的安全和高效运行。

通过以上示例,可以看出VBGQT1401适用于需要高性能功率开关器件的各种领域和模块,包括电源、电机驱动和汽车电子系统等。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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