VBL712MC30 Product details
Product introduction:
這款 SiC-S 技術的 MOSFET,具有高電壓、高漏極電流和低導通電阻的特點,適合在高壓、高頻率的功率電子應用中使用。其單通道 N 型配置使其適用於各種單端或雙端功率轉換器和逆變器設計。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263-7L | Single N | 1200V | -10 / +22 | 2~4 | 30A | 80 | SiC-S |
封裝類型: TO263-7L
配置: 單通道 N 型
最大漏極-源極電壓 (VDS): 1200V
門極-源極電壓範圍 (VGE): -10V 到 +22V
閾值電壓 (Vthtyp): 2~4V
漏極-源極導通電阻 @ VGS=18V (RDS(on)@VGS=18V): 典型值為 80mΩ
漏極電流 (ID): 30A
技術: 碳化矽(SiC-S)
Domain and module applications:
1. **工業電源**:VBL712MC30 可以用於設計工業級變頻器、交流調速器和其他需要高效能和高可靠性的工業電源系統。
2. **太陽能逆變器**:在太陽能逆變器中,VBL712MC30 可以用作高效能的功率開關,提高光伏發電系統的轉換效率。
3. **電動車充電樁**:由於其高電壓和高漏極電流特性,這款 MOSFET 適用於電動車充電樁中的高功率充電系統,提供快速而穩定的充電效果。
Technical support:
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