SiC MOSFET

VBP117MC06 Product details

Product introduction:

這款產品是VBP117MC06,採用TO247封裝,配置為單路N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247 Single-N 1700V -10 / +22 2~4 6A 1500 SiC
以下是詳細參數說明和應用簡介:

- **VDS(V):** 標稱漏極-源極電壓為1700V,表明可在此電壓範圍內正常工作。
- **VGE(±V):** 柵極-源極電壓範圍為-10V至+22V,表示可接受負10V至正22V的控制信號。
- **Vthtyp(V):** 柵極-源極閾值電壓範圍為2至4V,指示需施加2至4V以上的電壓才能使電晶體導通。
- **RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):** 在柵極-源極間施加18V時,導通狀態下的典型導通電阻為1500mΩ,表明在導通狀態下的電阻性能。
- **ID (A):** 最大漏極電流為6A,表示可承受的最大工作電流。
- **Technology:** 採用SiC(碳化矽)技術,表明具有碳化矽半導體材料製成。

Domain and module applications:

**應用簡介及示例:**

1. **太陽能逆變器:** 由於VBP117MC06具有高電壓和中等電流的特點,適合用於太陽能逆變器中,用於將太陽能電池板產生的直流電轉換為交流電。在這些應用中,它可以用作開關器件,控制能量轉換和輸出電壓,具有碳化矽半導體材料製成,有助於提高逆變器的效率和穩定性。

2. **工業電力模組:** 在工業電力模組中,VBP117MC06可以用作開關管,用於控制電源的開關和調節,例如工業電源、直流穩壓器等。其高電壓特性使其能夠承受工業電力系統中的高壓和大電流,並且具有碳化矽材料的優勢,有助於提高系統的可靠性和耐用性。

3. **電動車充電樁:** 在電動車充電樁中,VBP117MC06可以作為開關管,用於控制充電電流和充電電壓,實現對電動車的充電。其高電壓和中等電流特性使其能夠支持電動車的充電需求,並且具有碳化矽材料的優勢,有助於提高充電效率和安全性。

以上是VBP117MC06產品的詳細參數說明和應用簡介,適用於太陽能逆變器、工業電力模組和電動車充電樁等領域和模組。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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