VBP112MC30 Product details
Product introduction:
- VDS(V):漏極-源極最大耐壓為1200V,適用於高壓應用場合。
- VGE(±V):門極-源極電壓範圍為-10V至+22V,用於控制器件導通和關斷。
- Vthtyp(V):典型的門極閾值電壓為2~4V,指示器件開始導通的門極驅動電壓。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在門極驅動電壓為18V時,導通時的漏極-源極導通電阻為80mΩ。
- ID(A):最大漏極電流為30A,指示器件能夠承受的最大電流。
- 技術:採用SiC-S(Silicon Carbide-Super Junction)技術,具有碳化矽超級結構技術,提供更低的導通電阻和更高的開關速度。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp(V) | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1200V | -10 / +22 | 2~4 | 30A | 80 | SiC-S |
VB封裝:TO247
配置:單N型MOSFET
VDS(V):1200
VGE(±V):-10 / +22
Vthtyp(V):2~4
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):80
ID(A):30
技術:SiC-S
Domain and module applications:
1. **電力電子轉換器:** 由於其高耐壓和低導通電阻特性,適用於電力電子轉換器中的直流到交流轉換,如逆變器、變頻器等,用於電網接入和電力調節。
2. **電動車輛驅動系統:** 在電動車輛驅動系統中,該產品可用於電機控制模組,實現電能的轉換和調節,提供高效的動力輸出。
3. **太陽能逆變器:** 用於太陽能逆變器中,將太陽能電池板輸出的直流電轉換為交流電,適用於太陽能發電站和光伏電站等太陽能發電系統。
4. **工業高壓應用:** 適用於工業高壓應用場合,如電力系統的控制和管理、工廠和生產線的電力電子設備等。
Technical support:
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