SiC MOSFET

VBP112MC30 Product details

Product introduction:

該產品是一種單N型碳化矽(SiC)功率MOSFET器件,具有以下詳細參數說明:

- VDS(V):漏極-源極最大耐壓為1200V,適用於高壓應用場合。
- VGE(±V):門極-源極電壓範圍為-10V至+22V,用於控制器件導通和關斷。
- Vthtyp(V):典型的門極閾值電壓為2~4V,指示器件開始導通的門極驅動電壓。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在門極驅動電壓為18V時,導通時的漏極-源極導通電阻為80mΩ。
- ID(A):最大漏極電流為30A,指示器件能夠承受的最大電流。
- 技術:採用SiC-S(Silicon Carbide-Super Junction)技術,具有碳化矽超級結構技術,提供更低的導通電阻和更高的開關速度。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247 Single-N 1200V -10 / +22 2~4 30A 80 SiC-S
產品名稱:VBP112MC30
VB封裝:TO247
配置:單N型MOSFET
VDS(V):1200
VGE(±V):-10 / +22
Vthtyp(V):2~4
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):80
ID(A):30
技術:SiC-S

Domain and module applications:

該產品適用於以下領域和模組:

1. **電力電子轉換器:** 由於其高耐壓和低導通電阻特性,適用於電力電子轉換器中的直流到交流轉換,如逆變器、變頻器等,用於電網接入和電力調節。

2. **電動車輛驅動系統:** 在電動車輛驅動系統中,該產品可用於電機控制模組,實現電能的轉換和調節,提供高效的動力輸出。

3. **太陽能逆變器:** 用於太陽能逆變器中,將太陽能電池板輸出的直流電轉換為交流電,適用於太陽能發電站和光伏電站等太陽能發電系統。

4. **工業高壓應用:** 適用於工業高壓應用場合,如電力系統的控制和管理、工廠和生產線的電力電子設備等。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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