SiC MOSFET

VBP112MC50-4L Product details

Product introduction:

這款產品,型號為VBP112MC50-4L,採用單N配置。其工作電壓(VDS)為1200伏特,柵極-源極電壓(VGE)範圍為-4至+22伏特。閾值電壓典型值(Vthtyp)為2至5伏特,柵-源導通電阻在柵極-源極電壓為18伏特時的典型值為36毫歐。最大電流額定值(ID)為50安培,採用SiC(碳化矽)技術。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 1200V -4 / +22 2~5 50A 36 SiC
產品型號:VBP112MC50-4L
VB 封裝:TO247-4L
配置:單N
VDS(V):1200
VGE(±V):-4 / +22
Vthtyp(V):2~5
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):36
ID (A):50
技術:SiC

Domain and module applications:


該產品適用於以下領域的應用:

1. **電力電子**: 用於高壓直流輸電系統中的開關電源和逆變器,確保電能的高效轉換和穩定輸出。

2. **電動車輛**: 在電動汽車的動力電子系統中,用於電機控制器和電池管理系統,提供高效的功率轉換和穩定的驅動。

3. **工業自動化**: 用於工業機器人、數控設備和自動化生產線中的電機控制和功率轉換,提高生產效率和精確性。

4. **新能源**: 適用於風能和太陽能發電系統中的功率電子控制器和逆變器,實現可再生能源的有效利用。

5. **電源供應**: 用於數據中心、通信設備和工業設備中的高性能電源供應模組,確保穩定的電源輸出和系統運行。

這些例子說明了VBP112MC50-4L模組在不同領域的廣泛應用,突顯了其在高壓、高功率、高效率要求的功率電子系統中的優越性能和適用性。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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