SiC MOSFET

VBP112MC60-4L Product details

Product introduction:

產品型號:VBP112MC60-4L
封裝:TO247-4L
配置:單N
VDS(V):1200
VGE(±V):-10 / +22
Vthtyp(V):2~4
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):40
ID(A):60
技術:SiC-S

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 1200V -10 / +22 2~4 60A 40 SiC-S
詳細參數說明:
- VDS(V):最大漏極-源極電壓為1200V,適用於高壓應用。
- VGE(±V):門極-源極電壓範圍為-10V至+22V,可控制MOSFET的導通和關斷。
- Vthtyp(V):典型門極-源極閾值電壓為2至4V,是控制MOSFET導通的重要參數之一。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在18V的門極-源極電壓下,導通時的漏極-源極電阻為40毫歐姆,具有低導通電阻。
- ID(A):最大連續漏極電流為60A,適用於高電流應用。
- 技術:採用SiC-S技術,可能指代碳化矽技術,具有高功率密度和高溫性能。

Domain and module applications:

應用簡介:
該產品適用於高壓和高電流的應用領域,例如:
1. 電力轉換器:用於電力電子變換器、UPS系統和充電器等高功率轉換器中,提供可靠的功率開關控制。
2. 汽車電子:適用於電動汽車和混合動力汽車中的電動驅動系統、充電樁和直流-直流變換器等,支持車載電力系統的高效能轉換。
3. 太陽能和風能應用:用於太陽能逆變器、風力發電控制器和電網連接系統等,提高清潔能源的轉換效率和穩定性。

舉例說明:
- 在電力電子變換器模組中,VBP112MC60-4L可用作關鍵的功率開關器件,幫助實現電能的高效轉換和穩定輸出。
- 在電動汽車電機控制器中,該產品可以作為電機驅動模組的核心組件,實現電動汽車的高效驅動和動力輸出。
- 在太陽能逆變器和風力發電控制器中,VBP112MC60-4L可用於設計高效穩定的能源轉換器,實現清潔能源的可持續利用。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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