SiC MOSFET

VBP112MC60 Product details

Product introduction:

該產品是一款單N型電晶體,採用碳化矽-肖特基二極體技術。其關鍵參數包括漏極-源極電壓(VDS)、門極-源極電壓範圍(VGE)、閾值電壓(Vthtyp)、導通電阻(RDS(on))等。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247 Single-N 1200V -10 / +22 2~4 60A 40 SiC-S
產品名稱:VBP112MC60

封裝類型:TO247

配置:單N型

VDS(電壓):1200V

VGE(±電壓):-10V / +22V

Vthtyp(閾值電壓):2~4V

RDS(on)@VGS=18Vtyp(導通電阻):40mΩ

ID(電流):60A

技術:SiC-S(碳化矽-肖特基二極體)

Domain and module applications:



以下是該產品在不同領域和模組中的應用示例:

1. **電動汽車電力匯流排**:
- 由於高電壓和電流能力,適用於電動汽車的電力匯流排系統,如電池管理系統和電動汽車的驅動電路。

2. **工業高壓電源**:
- 在工業領域中,可用於高壓電源系統,如工業用途的高壓直流電源和電機控制器。

3. **再生能源逆變器**:
- 適用於太陽能或風能等再生能源系統中的逆變器,將直流電轉換為交流電,以供家庭或商業用途。

4. **電力電子調節器**:
- 在電力電子調節器中,用於穩定和調節電壓,例如用於穩壓器和變頻調速器。

5. **工業高頻功率轉換器**:
- 可用於高頻功率轉換器,如感應加熱設備和高頻電源設備,以實現高效能量轉換和控制。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

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