SiC MOSFET

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VBP112MC63-4L Product details

Product introduction:

產品型號:VBP112MC63-4L

封裝類型:TO247-4L

配置:單N

VDS(V):1200

VGE(±V):-4 / +22

Vthtyp(V):2~5

RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):32

ID(A):63

技術:SiC(碳化矽)

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 1200V -4 / +22 2~5 63A 32 SiC


**詳細參數說明:**

- VDS(V):1200V,表示最大允許的漏極-源極電壓,決定了器件的電壓承受能力。

- VGE(±V):-4 / +22V,表示柵極-源極之間的最大允許電壓,指示了產品的電壓控制範圍。

- Vthtyp(V):2~5V,柵極-源極閾值電壓的典型值,表示器件開始導通的電壓範圍。

- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):32mΩ,在柵極電壓為18V時,漏極-源極導通電阻的典型值,用於評估器件的導通性能。

- ID(A):63A,漏極電流,代表了器件的輸出能力。

Domain and module applications:

**應用簡介:**

該產品是一款碳化矽(SiC)技術的器件,適用於高壓、高頻、高溫的應用場合,具有以下特點:

1. **電力變換器:** 適用於電力變換器模組,如直流-交流逆變器、交流-直流整流器等,在電力系統中實現能源轉換和調節。

2. **電動汽車充電器:** 用於電動汽車充電器模組,能夠提供高效、快速的充電服務,滿足電動汽車日益增長的市場需求。

3. **太陽能逆變器:** 在太陽能逆變器中發揮作用,將太陽能板收集的直流電轉換為交流電,供給家庭或商業用電。

4. **高頻電源:** 在高頻電源模組中應用,如無線充電器、高頻電爐等,幫助實現高效能源轉換和高頻率輸出。

5. **電力傳輸與配電:** 用於電力傳輸和配電系統中的開關模組,保障電力系統的安全穩定運行,提高能源利用效率。

通過以上例子可以看出,VBP112MC63-4L型號的器件適用於多種領域的模組和設備中,具有高壓、高頻、高溫的特點,適合於要求性能穩定、效率高的應用場合。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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