VBP113MI25B Product details
Product introduction:
VBP113MI25B 是 VB 公司生產的單 N 型功率場效應電晶體(MOSFET),採用 TO247 封裝。該產品適用於高壓、高電流的功率電子應用場合。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1350 | ±30 | 5.5 | 25 | 2 | BD |
- 產品型號:VBP113MI25B
- 封裝類型:TO247
- 配置:單 N 型
- 集電極-發射極電壓(VCE):1350V
- 門-發射極電壓範圍(VGE):±30V
- 門-發射極閾值電壓(VGEth):5.5V
- 飽和時的集電極-發射極壓降(VCEsat):2V(在 VGE=15V 時,典型值)
- 額定集電極電流(ICE):25A
- 技術:BD
Domain and module applications:
1. 工業電機控制器:VBP113MI25B 可用於工業電機控制器中的功率開關模組,用於控制大功率電機的啟停和速度調節。
2. 高壓直流電源:該器件適用於高壓直流電源中的功率開關模組,用於為實驗室設備或特定應用提供穩定的高壓直流電源。
3. 高壓電力傳輸系統:VBP113MI25B 適用於高壓電力傳輸系統中的功率開關模組,用於實現電力的轉換、傳輸和分配。
以上是對 VBP113MI25B 產品的簡介、詳細參數說明和適用領域的語段形式舉例。
Technical support:
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