IGBT

VBP113MI25B Product details

Product introduction:

產品簡介:
VBP113MI25B 是 VB 公司生產的單 N 型功率場效應電晶體(MOSFET),採用 TO247 封裝。該產品適用於高壓、高電流的功率電子應用場合。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 Single-N 1350 ±30 5.5 25 2 BD
詳細參數說明:
- 產品型號:VBP113MI25B
- 封裝類型:TO247
- 配置:單 N 型
- 集電極-發射極電壓(VCE):1350V
- 門-發射極電壓範圍(VGE):±30V
- 門-發射極閾值電壓(VGEth):5.5V
- 飽和時的集電極-發射極壓降(VCEsat):2V(在 VGE=15V 時,典型值)
- 額定集電極電流(ICE):25A
- 技術:BD

Domain and module applications:

適用領域和模組舉例:
1. 工業電機控制器:VBP113MI25B 可用於工業電機控制器中的功率開關模組,用於控制大功率電機的啟停和速度調節。
2. 高壓直流電源:該器件適用於高壓直流電源中的功率開關模組,用於為實驗室設備或特定應用提供穩定的高壓直流電源。
3. 高壓電力傳輸系統:VBP113MI25B 適用於高壓電力傳輸系統中的功率開關模組,用於實現電力的轉換、傳輸和分配。

以上是對 VBP113MI25B 產品的簡介、詳細參數說明和適用領域的語段形式舉例。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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