IGBT

VBP113MI15B Product details

Product introduction:

產品簡介:
VBP113MI15B 是一款單N型場效應電晶體,封裝形式為TO247,適用於各種電路設計。該產品具有高電壓和高電流的特性,工作電壓為1350V。採用BD技術製造,具有高性能和穩定可靠性。VBP113MI15B 提供了強大的功率控制和驅動功能,適用於多種電子設備。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 Single-N 1350 ±30 5.5 15 2 BD
詳細參數說明:
- 集電-發射極電壓(VCE):1350V
- 柵極-發射極電壓(VGE):±30V
- 柵極閾值電壓(VGEth):5.5V
- VGE=15V時的集電-發射極飽和電壓(VCEsat):2V
- 集電極最大電流(ICE):15A
- 技術:BD(Breakdown)

Domain and module applications:

適用領域和模組示例:
1. 高壓電源模組:VBP113MI15B 可用於各種高壓電源模組,如X射線機、雷達系統等,提供穩定可靠的高壓輸出。
2. 工業電機控制:在工業電機控制領域,該產品可用於電機驅動器模組,如電機控制器、變頻調速器等,實現對電機的精確控制。
3. 電力轉換器:在電力轉換器中,VBP113MI15B 可用於逆變器和變頻器模組,將直流電轉換為交流電,實現能源的有效利用。
4. 高壓直流電源:作為高壓直流電源的關鍵元件,可用於實驗室設備、醫療設備等需要高壓電源的場合。
5. 電力傳輸設備:在電力傳輸領域,該產品可用於輸電線路的繼電器模組,提供穩定的電力傳輸和保護功能。

以上示例說明了 VBP113MI15B 在多種領域和模組上的廣泛應用,為各種電子設備提供了穩定可靠的功率控制和驅動解決方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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