VBPB112MI40 Product details
Product introduction:
VBPB112MI40是一款TO3P封裝的IGBT+FRD器件。它的主要特點包括1200V的耐壓、±30V的門極-發射極電壓、5.5V的門極-發射極閾值電壓、1.55V的VCEsat(在VGE=15V時)、40A的最大集電極電流。採用FS技術製造。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO3P | IGBT+FRD | 1200 | ±30 | 5.5 | 40 | 1.55 | FS |
- 產品型號:VBPB112MI40
- 封裝:TO3P
- 結構:IGBT+FRD
- 集電極-發射極耐壓:1200V
- 門極-發射極電壓:±30V
- 門極-發射極閾值電壓:5.5V
- VCEsat(在VGE=15V時):1.55V
- 最大集電極電流:40A
- 技術:FS
Domain and module applications:
1. 工業電力電子模組:VBPB112MI40適用於工業電力電子領域,如電力變頻器、電機驅動器、電力調節器等模組中,用於高壓高功率的電力控制和轉換。
2. 高壓逆變器模組:由於其高耐壓特性,VBPB112MI40可用於高壓逆變器模組,例如高壓直流輸電系統的逆變器,用於將直流電轉換為交流電以供電網使用。
3. 高壓直流電源模組:在需要大電流輸出的場合,如工業用途中的電鍍、電解等,VBPB112MI40可用於高壓直流電源模組,提供穩定可靠的電力輸出。
4. 高速電機控制模組:由於其高功率特性,VBPB112MI40可用於高速電機控制模組,例如風力發電機的轉換控制器,用於調節風力發電機的輸出功率。
Technical support:
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