IGBT

VBPB112MI40 Product details

Product introduction:

產品簡介:
VBPB112MI40是一款TO3P封裝的IGBT+FRD器件。它的主要特點包括1200V的耐壓、±30V的門極-發射極電壓、5.5V的門極-發射極閾值電壓、1.55V的VCEsat(在VGE=15V時)、40A的最大集電極電流。採用FS技術製造。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO3P IGBT+FRD 1200 ±30 5.5 40 1.55 FS
詳細參數說明:
- 產品型號:VBPB112MI40
- 封裝:TO3P
- 結構:IGBT+FRD
- 集電極-發射極耐壓:1200V
- 門極-發射極電壓:±30V
- 門極-發射極閾值電壓:5.5V
- VCEsat(在VGE=15V時):1.55V
- 最大集電極電流:40A
- 技術:FS

Domain and module applications:

適用領域和模組舉例:
1. 工業電力電子模組:VBPB112MI40適用於工業電力電子領域,如電力變頻器、電機驅動器、電力調節器等模組中,用於高壓高功率的電力控制和轉換。
2. 高壓逆變器模組:由於其高耐壓特性,VBPB112MI40可用於高壓逆變器模組,例如高壓直流輸電系統的逆變器,用於將直流電轉換為交流電以供電網使用。
3. 高壓直流電源模組:在需要大電流輸出的場合,如工業用途中的電鍍、電解等,VBPB112MI40可用於高壓直流電源模組,提供穩定可靠的電力輸出。
4. 高速電機控制模組:由於其高功率特性,VBPB112MI40可用於高速電機控制模組,例如風力發電機的轉換控制器,用於調節風力發電機的輸出功率。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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