IGBT

VBP112MI25B Product details

Product introduction:

產品簡介:
VBP112MI25B是一款TO247封裝的單路N型IGBT器件。它具有1200V的VCE(電壓)、±30V的VGE(門極電壓)、5.5V的VGEth(門極閾值電壓)、2V的VCEsat(飽和電壓,VGE=15V)、25A的ICE(集電極電流)等參數。採用BD技術。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 Single-N 1200 ±30 5.5 25 2 BD
詳細參數說明:
- 產品型號:VBP112MI25B
- 封裝類型:TO247
- 配置:單路N型
- 最大集電極-發射極電壓(VCE):1200V
- 門極電壓(VGE):±30V
- 門極閾值電壓(VGEth):5.5V
- 飽和電壓(VCEsat):2V(在VGE=15V時)
- 最大集電極電流(ICE):25A
- 技術:BD

Domain and module applications:

產品應用領域和模組舉例:
1. 高壓電源模組:用於電力電子系統中的高壓直流電源模組,例如X射線設備、雷射器等。
2. 工業焊接設備:應用於工業焊接機器的功率開關模組,實現高效能的電力轉換和控制。
3. 風力發電控制器:在風力發電系統的功率控制器中,提供可靠的電力轉換和調節功能。
4. 電力輸配設備:適用於電網輸配系統中的電力開關模組,實現電能的調節和分配。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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