VBP112MI25B Product details
Product introduction:
VBP112MI25B是一款TO247封裝的單路N型IGBT器件。它具有1200V的VCE(電壓)、±30V的VGE(門極電壓)、5.5V的VGEth(門極閾值電壓)、2V的VCEsat(飽和電壓,VGE=15V)、25A的ICE(集電極電流)等參數。採用BD技術。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1200 | ±30 | 5.5 | 25 | 2 | BD |
- 產品型號:VBP112MI25B
- 封裝類型:TO247
- 配置:單路N型
- 最大集電極-發射極電壓(VCE):1200V
- 門極電壓(VGE):±30V
- 門極閾值電壓(VGEth):5.5V
- 飽和電壓(VCEsat):2V(在VGE=15V時)
- 最大集電極電流(ICE):25A
- 技術:BD
Domain and module applications:
1. 高壓電源模組:用於電力電子系統中的高壓直流電源模組,例如X射線設備、雷射器等。
2. 工業焊接設備:應用於工業焊接機器的功率開關模組,實現高效能的電力轉換和控制。
3. 風力發電控制器:在風力發電系統的功率控制器中,提供可靠的電力轉換和調節功能。
4. 電力輸配設備:適用於電網輸配系統中的電力開關模組,實現電能的調節和分配。
Technical support:
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