IGBT

VBPB112MI25 Product details

Product introduction:

產品簡介:
VBPB112MI25是一款TO3P封裝的IGBT+FRD器件,主要用於高壓直流應用。該器件具有1200V的VCE(電壓)、±30V的VGE(柵極-發射極電壓)、5V的VGEth(柵極-發射極閾值電壓)、1.55V的VCEsat(飽和電壓)、25A的ICE(電流)等特性。採用了FS技術,結合了IGBT和FRD的優勢,具有較低的導通壓降和較高的開關速度。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO3P IGBT+FRD 1200 ±30 5 25 1.55 FS
詳細參數說明:
- 產品型號:VBPB112MI25
- 封裝類型:TO3P
- 功能配置:IGBT+FRD
- 集電-發射極電壓(VCE):1200V
- 柵極-發射極電壓(VGE):±30V
- 柵極-發射極閾值電壓(VGEth):5V
- 飽和電壓(VCEsat) @ VGE=15V:1.55V
- 最大連續導通電流(ICE):25A
- 技術:FS(場效應)

Domain and module applications:

適用領域和模組示例:
1. 工業高壓電源:VBPB112MI25適用於工業高壓電源模組,用於提供穩定的高壓直流電源,用於各種工業設備和系統的供電。
2. 電動車充電器:在電動車充電器中,VBPB112MI25可用於控制電池充電過程,確保電池充電的安全和高效。
3. 高壓電力變流器:在電力工程領域中,VBPB112MI25可用於高壓電力變流器模組,用於電能轉換和電力調節。
4. 電力逆變器:由於其高電壓特性和高電流承載能力,VBPB112MI25適用於電力逆變器模組,將直流電轉換為交流電,廣泛應用於電力系統中。
5. 智能家居應用:在智能家居系統中,VBPB112MI25可用於控制和調節家庭電器的供電,提供可靠的電源和穩定的性能。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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