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VBL712MC30 Product details
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应用简介：
这款 SiC-S 技术的 MOSFET，具有高电压、高漏极电流和低导通电阻的特点，适合在高压、高频率的功率电子应用中使用。其单通道 N 型配置使其适用于各种单端或双端功率转换器和逆变器设计。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263-7L | Single N | 1200V | -10 / +22 | 2~4 | 30A | 80 | SiC-S |
产品名称: VBL712MC30
封装类型: TO263-7L
配置: 单通道 N 型
最大漏极-源极电压 (VDS): 1200V
门极-源极电压范围 (VGE): -10V 到 +22V
阈值电压 (Vthtyp): 2~4V
漏极-源极导通电阻 @ VGS=18V (RDS(on)@VGS=18V): 典型值为 80mΩ
漏极电流 (ID): 30A
技术: 碳化硅（SiC-S）
Domain and module applications：
举例说明：
1. **工业电源**：VBL712MC30 可以用于设计工业级变频器、交流调速器和其他需要高效能和高可靠性的工业电源系统。
2. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，VBL712MC30 可以用作高效能的功率开关，提高光伏发电系统的转换效率。
3. **电动车充电桩**：由于其高电压和高漏极电流特性，这款 MOSFET 适用于电动车充电桩中的高功率充电系统，提供快速而稳定的充电效果。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features
Technical support：
* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours
