SiC MOSFET

VBP112MC100-4L Product details

Product introduction:

这种产品适用于高压、高温和高频应用,具有低导通电阻和高耐受能力的特点。它们通常用于电力电子模块和系统中,特别是在需要高效能和高性能的领域。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single N 1200V -10 / +22 2~4 100A 15 SiC-S

详细参数说明:
- VDS(V): 额定1200V的漏极-源极电压。
- VGE(±V): 门极-源极电压范围为-10V到+22V。
- Vthtyp(V): 典型的门极阈值电压为2至4V。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ): 在门极-源极电压为18V时,典型的导通电阻为15mΩ。
- ID (A): 额定100A的漏极电流。
- 技术: 使用SiC-S技术。

Domain and module applications:


举例说明:
1. 电动汽车充电桩模块: 由于VBP112MC100-4L具有高电压和高电流承受能力,可以用作电动汽车充电桩中的功率开关,确保充电过程的高效率和稳定性。
2. 太阳能逆变器模块: 在太阳能电池板转换直流电为交流电的过程中,需要高效的逆变器来确保能量转换的效率。VBP112MC100-4L的低导通电阻和高功率特性使其成为太阳能逆变器模块的理想选择,有助于最大程度地提取太阳能电池板的能量。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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