SiC MOSFET

VBP112MC26-4L Product details

Product introduction:

产品名称:VBP112MC26-4L

VB 封装:TO247-4L

配置:单路 N 型

VDS(V):1200

VGE(±V):-4 / +22

Vthtyp(V):2~5

RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):58

ID (A):26

技术:SiC

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 1200V -4 / +22 2~5 26A 58 SiC



详细参数说明:

- VDS(V):1200
 - 这是该器件的最大漏极-源极电压。在正常工作条件下,VDS应保持在这个范围内。

- VGE(±V):-4 / +22
 - 这是栅极-源极之间的允许电压范围。超出这个范围可能会损坏器件。

- Vthtyp(V):2~5
 - 这是栅极-源极之间的典型阈值电压。当施加到栅极上的电压超过此值时,器件开始导通。

- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):58
 - 这是在给定的栅极-源极电压下,器件的导通时的导通电阻。较低的电阻意味着更低的导通损耗。

- ID (A):26
 - 这是该器件的最大漏极电流。超过这个电流可能会损坏器件。

Domain and module applications:


应用简介:

VBP112MC26-4L是一款采用SiC技术制造的单路 N 型功率器件,适用于多种领域的高压功率电子应用。其特性和参数使其在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. 高压直流输电系统:VBP112MC26-4L可用于高压直流输电系统中的逆变器模块,提供高效、稳定的功率转换和控制,提高输电系统的能效和可靠性。

2. 新能源发电:在太阳能和风能发电系统中,VBP112MC26-4L可用作逆变器的关键部件,帮助将直流电转换为交流电,实现对电能的高效利用。

3. 工业高频电源:作为工业高频电源模块的功率开关器件,VBP112MC26-4L可用于电弧焊机、感应加热器等设备,实现高频率的功率转换和控制。

4. 医疗设备:在医疗成像设备和电疗设备中,VBP112MC26-4L可用于功率放大器和电源模块,提供稳定可靠的功率输出,保障医疗设备的正常运行。

综上所述,VBP112MC26-4L作为一款采用SiC技术制造的高压功率器件,适用于高压直流输电系统、新能源发电、工业高频电源和医疗设备等多个领域和模块。它为这些领域的功率转换和控制提供了重要支持,有助于提高系统的能效性能和稳定性。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

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