SiC MOSFET

VBP112MC50-4L Product details

Product introduction:

这款产品,型号为VBP112MC50-4L,采用单N配置。其工作电压(VDS)为1200伏特,栅极-源极电压(VGE)范围为-4至+22伏特。阈值电压典型值(Vthtyp)为2至5伏特,栅-源导通电阻在栅极-源极电压为18伏特时的典型值为36毫欧。最大电流额定值(ID)为50安培,采用SiC(碳化硅)技术。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 1200V -4 / +22 2~5 50A 36 SiC

产品型号:VBP112MC50-4L  
VB 封装:TO247-4L  
配置:单N  
VDS(V):1200  
VGE(±V):-4 / +22  
Vthtyp(V):2~5  
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):36  
ID (A):50  
技术:SiC  

Domain and module applications:


该产品适用于以下领域的应用:

1. **电力电子**: 用于高压直流输电系统中的开关电源和逆变器,确保电能的高效转换和稳定输出。

2. **电动车辆**: 在电动汽车的动力电子系统中,用于电机控制器和电池管理系统,提供高效的功率转换和稳定的驱动。

3. **工业自动化**: 用于工业机器人、数控设备和自动化生产线中的电机控制和功率转换,提高生产效率和精确性。

4. **新能源**: 适用于风能和太阳能发电系统中的功率电子控制器和逆变器,实现可再生能源的有效利用。

5. **电源供应**: 用于数据中心、通信设备和工业设备中的高性能电源供应模块,确保稳定的电源输出和系统运行。

这些例子说明了VBP112MC50-4L模块在不同领域的广泛应用,突显了其在高压、高功率、高效率要求的功率电子系统中的优越性能和适用性。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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