SiC MOSFET

VBP112MC60 Product details

Product introduction:

该产品是一款单N型晶体管,采用碳化硅-肖特基二极管技术。其关键参数包括漏极-源极电压(VDS)、门极-源极电压范围(VGE)、阈值电压(Vthtyp)、导通电阻(RDS(on))等。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247 Single-N 1200V -10 / +22 2~4 60A 40 SiC-S

产品名称:VBP112MC60

封装类型:TO247

配置:单N型

VDS(电压):1200V

VGE(±电压):-10V / +22V

Vthtyp(阈值电压):2~4V

RDS(on)@VGS=18Vtyp(导通电阻):40mΩ

ID(电流):60A

技术:SiC-S(碳化硅-肖特基二极管)

Domain and module applications:



以下是该产品在不同领域和模块中的应用示例:

1. **电动汽车电力总线**:
  - 由于高电压和电流能力,适用于电动汽车的电力总线系统,如电池管理系统和电动汽车的驱动电路。

2. **工业高压电源**:
  - 在工业领域中,可用于高压电源系统,如工业用途的高压直流电源和电机控制器。

3. **再生能源逆变器**:
  - 适用于太阳能或风能等再生能源系统中的逆变器,将直流电转换为交流电,以供家庭或商业用途。

4. **电力电子调节器**:
  - 在电力电子调节器中,用于稳定和调节电压,例如用于稳压器和变频调速器。

5. **工业高频功率转换器**:
  - 可用于高频功率转换器,如感应加热设备和高频电源设备,以实现高效能量转换和控制。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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