SiC MOSFET

VBP165C70-4L Product details

Product introduction:

产品名称:VBP165C70-4L
封装类型:TO247-4L
配置:单极N型
VDS(V):650V
VGE(±V):-4 / +22V
Vthtyp(V):2~5V
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):30mΩ
ID (A):70A
技术:SiC(碳化硅)

File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247-4L Single-N 650V -4 / +22 2~5 70A 30 SiC


**详细参数说明:**
- VDS(V):漏极-源极的最大工作电压为650V。
- VGE(±V):网格-源极的最大工作电压为-4V至+22V。
- Vthtyp(V):阈值电压的典型值范围为2至5V。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在VGS=18V时,漏极-源极的导通电阻的典型值为30mΩ。
- ID (A):最大连续输出电流为70A。
- 技术:采用SiC(碳化硅)技术。

Domain and module applications:

**应用简介:**
这种单极N型封装的器件具有高功率密度、低导通损耗和高温稳定性,适用于以下领域和模块:
1. 工业电力控制:用于电力电子变流器、电机驱动器等。
2. 汽车电子:适用于电动汽车的电机驱动模块、充电桩等。
3. 新能源应用:例如太阳能逆变器、风力发电系统等。
4. 高频电源:用于高频开关电源、电网连接器等。

举例说明:
- 在工业电力控制领域,这种器件可用于电力电子变流器,将交流电转换为直流电以供各种电气设备使用。
- 在汽车电子模块中,它可以用于电动汽车的电机驱动器,实现电机的高效运行。
- 在新能源领域,这种器件可用于太阳能逆变器,将太阳能板产生的直流电转换为交流电供电。
- 在高频电源模块中,它可以用于高频开关电源,实现高效能源转换和节能。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat