SiC MOSFET

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VBP112MC100 Product details

Product introduction:

这款产品是VBP112MC100,采用TO247封装,配置为单路N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。

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Product parameter:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds18 Technology
TO247 Single-N 1200V -10 / +22 2~4 100A 16 SiC-S



- **VDS(V):** 标称漏极-源极电压为1200V,表明可在此电压范围内正常工作。
- **VGE(±V):** 栅极-源极电压范围为-10V至+22V,表示可接受负10V至正22V的控制信号。
- **Vthtyp(V):** 栅极-源极阈值电压范围为2至4V,指示需施加2至4V以上的电压才能使晶体管导通。
- **RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):** 在栅极-源极间施加18V时,导通状态下的典型导通电阻为16mΩ,表明在导通状态下的电阻性能。
- **ID (A):** 最大漏极电流为100A,表示可承受的最大工作电流。
- **Technology:** 采用SiC-S(碳化硅半导体)技术,表明具有碳化硅半导体材料制成,具有高温高频特性和低导通电阻。

Domain and module applications:


**应用简介及示例:**

1. **电力转换模块:** 由于VBP112MC100具有高电压和大电流的特点,适合用于电力转换模块中,如电源逆变器、变频器和电机驱动器等。在这些应用中,它可以用作开关器件,用于控制电力转换和调节,具有快速开关和低导通电阻的优势,有助于提高系统的效率和可靠性。

2. **电力电网应用:** 在电力电网中,VBP112MC100可以用于高压直流输电系统和换流器模块,用于控制电力的输送和调节。其高电压和大电流特性使其能够支持电网中的高功率传输,并且具有高温高频特性和低导通电阻,有助于提高电网的稳定性和可靠性。

3. **电动车充电桩:** 在电动车充电桩中,VBP112MC100可以作为开关管,用于控制充电电流和充电电压,实现对电动车的快速充电。其高电压和大电流特性使其能够支持大功率的充电需求,并且具有高温高频特性和低导通电阻,有助于提高充电效率和安全性。

以上是VBP112MC100产品的详细参数说明和应用简介,适用于电力转换模块、电力电网应用和电动车充电桩等领域和模块。

* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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