IGBT

VBP113MI25B Product details

Product introduction:

产品简介:
VBP113MI25B 是 VB 公司生产的单 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO247 封装。该产品适用于高压、高电流的功率电子应用场合。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 Single-N 1350 ±30 5.5 25 2 BD
详细参数说明:
- 产品型号:VBP113MI25B
- 封装类型:TO247
- 配置:单 N 型
- 集电极-发射极电压(VCE):1350V
- 门-发射极电压范围(VGE):±30V
- 门-发射极阈值电压(VGEth):5.5V
- 饱和时的集电极-发射极压降(VCEsat):2V(在 VGE=15V 时,典型值)
- 额定集电极电流(ICE):25A
- 技术:BD

Domain and module applications:

适用领域和模块举例:
1. 工业电机控制器:VBP113MI25B 可用于工业电机控制器中的功率开关模块,用于控制大功率电机的启停和速度调节。
2. 高压直流电源:该器件适用于高压直流电源中的功率开关模块,用于为实验室设备或特定应用提供稳定的高压直流电源。
3. 高压电力传输系统:VBP113MI25B 适用于高压电力传输系统中的功率开关模块,用于实现电力的转换、传输和分配。

以上是对 VBP113MI25B 产品的简介、详细参数说明和适用领域的语段形式举例。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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