VBP113MI25B Product details
Product introduction:
VBP113MI25B 是 VB 公司生产的单 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO247 封装。该产品适用于高压、高电流的功率电子应用场合。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1350 | ±30 | 5.5 | 25 | 2 | BD |
- 产品型号:VBP113MI25B
- 封装类型:TO247
- 配置:单 N 型
- 集电极-发射极电压(VCE):1350V
- 门-发射极电压范围(VGE):±30V
- 门-发射极阈值电压(VGEth):5.5V
- 饱和时的集电极-发射极压降(VCEsat):2V(在 VGE=15V 时,典型值)
- 额定集电极电流(ICE):25A
- 技术:BD
Domain and module applications:
1. 工业电机控制器:VBP113MI25B 可用于工业电机控制器中的功率开关模块,用于控制大功率电机的启停和速度调节。
2. 高压直流电源:该器件适用于高压直流电源中的功率开关模块,用于为实验室设备或特定应用提供稳定的高压直流电源。
3. 高压电力传输系统:VBP113MI25B 适用于高压电力传输系统中的功率开关模块,用于实现电力的转换、传输和分配。
以上是对 VBP113MI25B 产品的简介、详细参数说明和适用领域的语段形式举例。
Technical support:
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