IGBT

VBP113MI15B Product details

Product introduction:

产品简介:
VBP113MI15B 是一款单N型场效应晶体管,封装形式为TO247,适用于各种电路设计。该产品具有高电压和高电流的特性,工作电压为1350V。采用BD技术制造,具有高性能和稳定可靠性。VBP113MI15B 提供了强大的功率控制和驱动功能,适用于多种电子设备。



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Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO247 Single-N 1350 ±30 5.5 15 2 BD
详细参数说明:
- 集电-发射极电压(VCE):1350V
- 栅极-发射极电压(VGE):±30V
- 栅极阈值电压(VGEth):5.5V
- VGE=15V时的集电-发射极饱和电压(VCEsat):2V
- 集电极最大电流(ICE):15A
- 技术:BD(Breakdown)

Domain and module applications:

适用领域和模块示例:
1. 高压电源模块:VBP113MI15B 可用于各种高压电源模块,如X射线机、雷达系统等,提供稳定可靠的高压输出。
2. 工业电机控制:在工业电机控制领域,该产品可用于电机驱动器模块,如电机控制器、变频调速器等,实现对电机的精确控制。
3. 电力转换器:在电力转换器中,VBP113MI15B 可用于逆变器和变频器模块,将直流电转换为交流电,实现能源的有效利用。
4. 高压直流电源:作为高压直流电源的关键元件,可用于实验室设备、医疗设备等需要高压电源的场合。
5. 电力传输设备:在电力传输领域,该产品可用于输电线路的继电器模块,提供稳定的电力传输和保护功能。

以上示例说明了 VBP113MI15B 在多种领域和模块上的广泛应用,为各种电子设备提供了稳定可靠的功率控制和驱动解决方案。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

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