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VBP112MI75 Product details
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产品简介：
VBP112MI75是一款TO247封装的IGBT+FRD器件，具有1200V的VCE（工作电压），±30V的VGE（门极-发射极电压），5.5V的VGEth（门极-发射极阈值电压）。该产品采用FS技术，具有高性能和稳定性，适用于多种应用场景。
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Product parameter：
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth（V） | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | IGBT+FRD | 1200 | ±30 | 5.5 | 75 | 1.55 | FS |
详细参数说明：
- 产品型号：VBP112MI75
- 封装形式：TO247
- 结构类型：IGBT+FRD
- 工作电压：1200V
- 门极-发射极电压：±30V
- 门极-发射极阈值电压：5.5V
- 饱和电压（VCEsat）：1.55V @ VGE=15V
- 最大连续电流（ICE）：75A
- 技术：FS（Fast Switching，快速开关）
Domain and module applications：
适用领域和模块示例：
1. 工业电力系统：VBP112MI75可用于高压电力系统中的电源开关和变频器控制，如电力传输、发电机控制等领域，提供可靠的功率调节和开关功能。
2. 电动车辆：在电动汽车和混合动力车辆的驱动系统中，VBP112MI75可以实现电池管理、电机控制和充电系统等功能，提高车辆的性能和能源利用效率。
3. 高压直流输电：作为高压直流输电系统的一部分，VBP112MI75可以实现电力转换和电压调节，确保电力传输的稳定性和可靠性。
4. 风电和太阳能逆变器：在风电和太阳能发电系统的逆变器中，VBP112MI75可以实现风机和太阳能电池板的功率转换和电力输出调节，提高可再生能源利用效率。
以上是VBP112MI75在各个领域和模块上的示例应用，展示了其高压、高功率和稳定性能，适用于多种应用场景。
Technical support：
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