IGBT

VBPB112MI40 Product details

Product introduction:

产品简介:
VBPB112MI40是一款TO3P封装的IGBT+FRD器件。它的主要特点包括1200V的耐压、±30V的门极-发射极电压、5.5V的门极-发射极阈值电压、1.55V的VCEsat(在VGE=15V时)、40A的最大集电极电流。采用FS技术制造。



File download

Download PDF document
Download now

Product parameter:

VB Package Configuration VCE VGE VGEth(V) ICE VCEsat15V Technology
TO3P IGBT+FRD 1200 ±30 5.5 40 1.55 FS
详细参数说明:
- 产品型号:VBPB112MI40
- 封装:TO3P
- 结构:IGBT+FRD
- 集电极-发射极耐压:1200V
- 门极-发射极电压:±30V
- 门极-发射极阈值电压:5.5V
- VCEsat(在VGE=15V时):1.55V
- 最大集电极电流:40A
- 技术:FS

Domain and module applications:

适用领域和模块举例:
1. 工业电力电子模块:VBPB112MI40适用于工业电力电子领域,如电力变频器、电机驱动器、电力调节器等模块中,用于高压高功率的电力控制和转换。
2. 高压逆变器模块:由于其高耐压特性,VBPB112MI40可用于高压逆变器模块,例如高压直流输电系统的逆变器,用于将直流电转换为交流电以供电网使用。
3. 高压直流电源模块:在需要大电流输出的场合,如工业用途中的电镀、电解等,VBPB112MI40可用于高压直流电源模块,提供稳定可靠的电力输出。
4. 高速电机控制模块:由于其高功率特性,VBPB112MI40可用于高速电机控制模块,例如风力发电机的转换控制器,用于调节风力发电机的输出功率。
* Please note: the above is only an example application scenario, the specific application depends on the requirements and conditions of the system design. When using this device, consult its data sheet for detailed technical specifications and features

Technical support:

* If you have any questions about the product, please fill out the form to submit, we will reply you within 24 hours

Sample Req

QQ

Telephone

400-655-8788

WeChat

WeChat

Topping

Sample Req
Online
Telephone
WeChat