VBP112MI25B Product details
Product introduction:
VBP112MI25B是一款TO247封装的单路N型IGBT器件。它具有1200V的VCE(电压)、±30V的VGE(门极电压)、5.5V的VGEth(门极阈值电压)、2V的VCEsat(饱和电压,VGE=15V)、25A的ICE(集电极电流)等参数。采用BD技术。
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Product parameter:
| VB Package | Configuration | VCE | VGE | VGEth(V) | ICE | VCEsat15V | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1200 | ±30 | 5.5 | 25 | 2 | BD |
- 产品型号:VBP112MI25B
- 封装类型:TO247
- 配置:单路N型
- 最大集电极-发射极电压(VCE):1200V
- 门极电压(VGE):±30V
- 门极阈值电压(VGEth):5.5V
- 饱和电压(VCEsat):2V(在VGE=15V时)
- 最大集电极电流(ICE):25A
- 技术:BD
Domain and module applications:
1. 高压电源模块:用于电力电子系统中的高压直流电源模块,例如X射线设备、激光器等。
2. 工业焊接设备:应用于工业焊接机器的功率开关模块,实现高效能的电力转换和控制。
3. 风力发电控制器:在风力发电系统的功率控制器中,提供可靠的电力转换和调节功能。
4. 电力输配设备:适用于电网输配系统中的电力开关模块,实现电能的调节和分配。
Technical support:
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