SI4435DY-T1-E3-VB一個P溝道SOP8封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數說明:極性：P溝道；額定電壓：-30V；最大電流：-7A；導通電阻：23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V；門源電壓範圍：20Vgs (±V)閾值電壓：-1.37V；封裝：SOP8
應用簡介：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P溝道MOSFET，適用於中功率應用的開關控制。
具有低導通電阻，有助於降低功耗和熱量產生。
常用於電源開關、電機驅動、LED驅動等。
優勢：低導通電阻：有助於降低功耗，提高效率。
適用封裝：SOP8封裝適合需要中等功率控制的設計。
適用模組：SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 適用於中功率開關控制模組，如電源管理模組、電機驅動模組等。