SI2369DS-T1-GE3-VB一個P溝道SOT23-3封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：SI2369DS-T1-GE3
絲印：VB2355
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 類型：P溝道MOSFET
- 最大耐壓：-30V
- 最大電流：-5.6A
- 導通電阻：47mΩ@10V, 56mΩ@4.5V
- 門源電壓：20Vgs (±V)
- 門閾電壓：-1Vth
- 封裝：SOT23

應用簡介：
SI2369DS-T1-GE3是一款P溝道MOSFET，適用於負極電壓控制和負載開關的應用。其最大耐壓為-30V，最大電流為-5.6A，具有低導通電阻和高性能。

該器件適用於多個領域的模組設計，主要包括：
1. 電源管理模組：適用於負責電源開關和負載開關控制的電源管理模組。
2. 電動工具：可用於電動工具中的負極電源控制和負載開關。
3. 家用電器模組：適用於家用電器領域中的負極電源控制和負載開關。

總之，SI2369DS-T1-GE3適用於負極電壓控制和負載開關等應用領域的模組設計，主要用於電源管理、電動工具和家用電器模組等。