SI2314EDS-T1-E3-VB一個N溝道SOT23-3封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：SI2314EDS-T1-E3-VB
絲印：VB1240
品牌：VBsemi
參數：
- N溝道
- 最大耐壓：20V
- 最大漏電流：6A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：0.45V to 1V
- 封裝：SOT23

應用簡介：
SI2314EDS-T1-E3-VB是一款N溝道場效應電晶體，適用於低功率電子應用。它具有適度的導通電阻和耐壓特性，適合用於小型電子系統。

領域模組應用：
1. 電源開關模組：SI2314EDS-T1-E3-VB可用於低功率電源開關應用，如可攜式電子設備和電池供電設備。
2. 信號開關：適用於低功率信號開關和控制電路，如小型開關電路和信號切換器。
3. 低功耗模組：在需要低功耗的模組中，如感測器節點、小型控制器，可發揮作用。

這些特性使SI2314EDS-T1-E3-VB在小型低功率電子應用中有廣泛的應用。