SI2301DS-T1-GE3-VB一個P溝道SOT23-3封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)參數說明:極性：P溝道；額定電壓：-20V；最大電流：-4A；導通電阻：57mΩ @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V；門源電壓範圍：12Vgs (±V)閾值電壓：-0.81V；封裝：SOT23
應用簡介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P溝道MOSFET，適用於需要控制電流的應用。
其低導通電阻使其在電流控制電路中表現出色。
常用於電源開關、電荷控制、功率放大等。
優勢：低導通電阻：減少功耗，提高效率。
可靠性：VBsemi作為知名半導體品牌，產品經過嚴格的品質控制，具有高的可靠性。
適用封裝：SOT23封裝適合空間有限的設計。
適用模組：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 適用於需要電流控制的模組，如電源開關模組、電荷控制模組等。