RSD050N10TL-VB一個N溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：RSD050N10TL
絲印：VBE1101M
品牌：VBsemi

詳細參數說明：
- 類型：N溝道MOSFET
- 最大耐壓：100V
- 最大電流：18A
- 導通電阻：115mΩ @10V, 121mΩ @4.5V
- 門源電壓：20Vgs (±V)
- 門閾電壓：1.6Vth
- 封裝：TO252

應用簡介：
RSD050N10TL是一款N溝道MOSFET，適用於高壓和大電流的應用。其最大耐壓為100V，最大電流為18A，具有低導通電阻和高性能。

該器件適用於多個領域的模組設計，主要包括：
1. 電源管理模組：適用於高壓電源開關和DC-DC變換器等。
2. 電機驅動模組：可用於驅動大功率電機和汽車驅動系統。
3. 高壓負載開關模組：適用於高壓負載開關和電源控制器。

總之，RSD050N10TL適用於高壓和大電流應用領域的模組設計，包括電源管理、電機驅動和高壓負載開關模組等。