NTGS3136PT1G-VB一個P溝道SOT23-6封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號：NTGS3136PT1G-VB
絲印：VB8338
品牌：VBsemi
參數：
- P溝道
- 最大耐壓：-30V
- 最大漏電流：-4.8A
- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓（Vth）：-1V to -3V
- 封裝：SOT23-6

應用簡介：
NTGS3136PT1G-VB是一款P溝道場效應電晶體，適用於多種低功率電子應用。它具有較低的導通電阻和適度的耐壓特性，適合用於低功耗設備和控制電路。

領域模組應用：
1. 低功率電源模組：NTGS3136PT1G-VB可用於低功耗設備的電源管理，如可攜式電子設備、感測器節點等。
2. 信號開關：適用於開關信號和控制電路，如信號開關、多路複用器等應用。
3. 低功耗模組：在需要較低功耗的模組中，如待機模式、電池供電設備，可起到關鍵作用。

這些特性使NTGS3136PT1G-VB在低功率電子領域中有廣泛的應用。