NTD25P03LG-VB一個P溝道TO252封裝的MOS管Datasheet參數視頻講解

型號： NTD25P03LG-VB
絲印： VBE2338
品牌： VBsemi
參數：
- P溝道
- -30V電壓
- -26A電流
- RDS(ON)：33mΩ@10V, 46mΩ@4.5V
- 20Vgs(±V)閾值電壓
- -1.3Vth(V)閾值電壓
- TO252封裝

該型號的詳細參數說明：
- 類型: N溝道P-MOSFET
- 最大漏源電壓（VDS）：-30V
- 最大漏源電流（ID）：-26A
- 導通電阻（RDS(ON)）：33mΩ（在10V下），46mΩ（在4.5V下）
- 門源閾值電壓（Vgs(th)）：-1.3V
- 最大門源電壓（Vgs）：±20V
- 封裝類型：TO252

該產品適用於以下領域模組：
- 電源管理系統
- 自動控制系統
- 電動汽車系統
- 工業自動化控制系統
- LED照明系統等

這些溝道P-MOSFET可以用於電源開關、電機驅動、電源逆變器、充放電電路等應用。它們在需要高效能和低電阻的場合提供了可靠的功率開關功能。通過改變門源電壓控制電阻，它們可以實現高效的電源管理和電路控制。